По вашему запросу найдено 7057 товаров в 134 разделах

Посмотреть товары

ИС управления питанием (1967)

Драйверы и контроллеры дисплеев (58)

Светодиодные компоненты систем освещения (27)

Электродвигатели, контроллеры и регуляторы, периферийные устройства (16)

Устройства обработки видеосигнала (5)

Устройства обработки звукового сигнала (1)

Пассивные фильтры (1)

Компоненты защиты от перенапряжения (1)

All Products

You are viewing 1 - 20 of 7057 results
Отображение на экране:
Показать на странице
20
  • 20
  • 50
  • 100
Сортировка по
Цена
  • Цена
    • Возрастанию
    • Убыванию
  • Производитель
    • Возрастанию
    • Убыванию
  • Номер производителя
    • Возрастанию
    • Убыванию
  • Вид продукции
    • Возрастанию
    • Убыванию
  • RS-номер
    • Возрастанию
    • Убыванию
BTA12-600BW3G ON Semiconductor, TRIAC, 600V 12A, Gate Trigger 1.7V 50mA, 3-Pin TO-220
  • Максимальный удерживающий ток 50mA
  • Максимальная рабочая температура +125 °C
  • Повторяющееся пиковое прямое блокирующее напряжение 800V
  • Повторяющееся пиковое обратное напряжение 600V
  • Длина 10.28мм
Похожие товары в разделе Триаки
BTA12-600CW3G ON Semiconductor, TRIAC, 600V 12A, Gate Trigger 1.7V 35mA, 3-Pin TO-220
  • Максимальный удерживающий ток 45mA
  • Максимальная рабочая температура +125 °C
  • Повторяющееся пиковое прямое блокирующее напряжение 800V
  • Повторяющееся пиковое обратное напряжение 600V
  • Длина 10.28мм
Похожие товары в разделе Триаки
BTA30-600CW3G ON Semiconductor, TRIAC, 600V 30A, Gate Trigger 1.3V 35mA, 3-Pin TO-220
  • Максимальный удерживающий ток 50mA
  • Максимальная рабочая температура +125 °C
  • Повторяющееся пиковое прямое блокирующее напряжение 800V
  • Повторяющееся пиковое обратное напряжение 600V
  • Длина 10.28мм
Похожие товары в разделе Триаки
ON Semiconductor 2SK3748-1E N-channel MOSFET Transistor, 4 A, 1500 V, 3-Pin TO-3P
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 15.5mm
  • Transistor Configuration Single
  • Типичное время задержки включения 17 нс
Похожие товары в разделе Полевых МОП-транзисторы
ON Semi 2N3772G NPN Bipolar Transistor, 20 A, 50 V, 2-Pin TO-204AA
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 4 V
  • Максимальная рабочая температура +200 °C
  • Максимальная рабочая частота 50 kHz
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 39.37mm
Похожие товары в разделе Биполярные транзисторы
ON Semi 2N5684G PNP Bipolar Transistor, 50 A, 80 V, 2-Pin TO-204
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер -5 V
  • Максимальная рабочая температура +200 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 2 В
  • Длина 38.86mm
Похожие товары в разделе Биполярные транзисторы
ON Semi 2N5686G NPN Bipolar Transistor, 50 A, 80 V, 2-Pin TO-204
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 5 V
  • Максимальная рабочая температура +200 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 2 V
  • Длина 38.86mm
Похожие товары в разделе Биполярные транзисторы
ON Semi 2N5884G PNP Bipolar Transistor, 25 A, 80 V, 2-Pin TO-204AA
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
  • Максимальная рабочая температура +200 °C
  • Максимальная рабочая частота 1 MHz
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 39.37mm
Похожие товары в разделе Биполярные транзисторы
ON Semi BD243CG NPN Bipolar Transistor, 6 A, 100 V, 3-Pin TO-220
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V dc
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Максимальная рабочая частота 1 MHz
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 10.28мм
Похожие товары в разделе Биполярные транзисторы
ON Semi MJ15016G PNP Bipolar Transistor, 15 A, 120 V, 2-Pin TO-204AA
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 5 V
  • Максимальная рабочая температура +200 °C
  • Максимальная рабочая частота 1 MHz
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 39.37mm
Похожие товары в разделе Биполярные транзисторы
ON Semi MJ4502G PNP Bipolar Transistor, 30 A, 100 V, 2-Pin TO-204AA
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.8 V
  • Максимальная рабочая температура +200 °C
  • Максимальная рабочая частота 1 MHz
  • Количество элементов на ИС 1
  • Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1.3 V
Похожие товары в разделе Биполярные транзисторы
ON Semi MJE5852G PNP High Voltage Bipolar Transistor, 8 A, 400 V, 3-Pin TO-220AB
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 5 V
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1.5 V
  • Длина 10.28мм
Похожие товары в разделе Биполярные транзисторы
ON Semi MJF18004G NPN High Voltage Bipolar Transistor, 5 A, 450 V, 3-Pin TO-220
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.75 V
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Максимальная рабочая частота 13 МГц
  • Количество элементов на ИС 1
  • Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1.25 V
Похожие товары в разделе Биполярные транзисторы
ON Semi MJW18020G NPN High Voltage Bipolar Transistor, 30 A, 450 V, 3-Pin TO-247
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V dc
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Максимальная рабочая частота 1 MHz
  • Количество элементов на ИС 1
  • Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1.5 V dc
Похожие товары в разделе Биполярные транзисторы
ON Semi NJW0281G NPN Bipolar Transistor, 15 A, 250 V, 3-Pin TO-3P
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1 V dc
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Максимальная рабочая частота 1 MHz
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 15.8mm
Похожие товары в разделе Биполярные транзисторы
ON Semi NJW0302G PNP Bipolar Transistor, 15 A, 250 V, 3-Pin TO-3P
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1 V dc
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Максимальная рабочая частота 1 MHz
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 15.8mm
Похожие товары в разделе Биполярные транзисторы
ON Semi TIP127G PNP Darlington Transistor, 5 A 100 V HFE:1000, 3-Pin TO-220AB
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 4 V
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 10.28мм
  • Transistor Configuration Single
Похожие товары в разделе Транзисторы Дарлингтона
ON Semiconductor NTD2955-1G P-channel MOSFET Transistor, 12 A, 60 V, 3-Pin IPAK
  • Максимальная рабочая температура +175 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 6.73mm
  • Типичное время задержки включения 10 ns
  • Производитель ON Semiconductor
Похожие товары в разделе Полевых МОП-транзисторы
ON Semi MJF122G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:1000, 3-Pin TO-220
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.5 V dc
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 10.627мм
  • Transistor Configuration Single
Похожие товары в разделе Транзисторы Дарлингтона
ON Semi MJF15030G NPN Bipolar Transistor, 8 A, 150 V, 3-Pin TO-220
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
  • Максимальная рабочая температура +150 °C
  • Максимальная рабочая частота 30 МГц
  • Количество элементов на ИС 1
  • Длина 10.627мм
Похожие товары в разделе Биполярные транзисторы
Проверьте наличие товара на складе
Укажите нужное вам количество и нажмите "Проверить".
Информация о наличии обновляется на сайте в режиме реального времени.
RS Stock No:
Нужное количество 
Сравнить полный список
Одновременно вы можете сравнивать только 8 товаров

Вернуться к странице для сравнения
You are viewing 1 - 20 of 7057 results