МОП-транзисторы

961
Найдено
Вы сделали новый выбор
Нажмите "Применить фильтры", чтобы увидеть новые товары
Выбранные параметры поиска
Вы просматриваете 1 - 20 из 961 результатов
Отображение на экране:
Показать на странице
20
  • 20
  • 50
  • 100
Цена
(Указанные цены не включают НДС)
Информация о товаре Производитель Тип канала Максимальный непрерывный ток стока Максимальное напряжение сток-исток Максимальное сопротивление сток-исток Maximum Gate Threshold Voltage Minimum Gate Threshold Voltage Максимальное напряжение затвор-исток Тип корпуса Тип монтажа Число контактов Transistor Configuration Номер канала Категория Максимальное рассеяние мощности Типичная входная емкость при Vds Типичный заряд затвора при Vgs Размеры Типичное время задержки выключения Серия Типичное время задержки включения Прямая активная межэлектродная проводимость Ширина Высота Длина Прямое напряжение диода Максимальная рабочая температура Количество элементов на ИС Минимальная рабочая температура Материал транзистора Automotive Standard
SiSH402DN-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 35 A, 30 V TrenchFET, 8-Pin 1212 Vishay Siliconix
  • руб 50,11
  • За шт. (В катушке - 3000)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Vishay Siliconix N 35 А 30 V 0.008 Ω 1.15V 2.2V ±20 В 1212 Поверхностный монтаж 8 Одинарный Поднятие Мощный МОП-транзистор 52 Вт 1700 pF @ 15 V 28 nC @ 10 V 3.15 x 3.15 x 1.07мм 25 ns TrenchFET 25 ns 82s 3.15мм 1.07мм 3.15мм 1.2V +150 °C 1 -55 °C SI -
TN2106K1-G N-Channel MOSFET, 280 mA, 60 (Minimum) V TN2106, 3-Pin SOT-23 Microchip Technology
  • руб 61,72
  • За шт. (В катушке - 3000)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology N 280 мА 60 В (минимум) 5 Ω 2V 0.6V 20 V TO-236AB Поверхностный монтаж 3 Одинарный Поднятие Драйвер МОП-транзистора 360 мВт 35 pF @ 25 V - 3.04 x 1.4 x 1.02мм 6 нс TN2106 3 нс - 1.4мм 1.02мм 3.04мм 1.8V +150 °C 1 -55 °C - -
MIC94052YC6-TR Dual P-Channel MOSFET, 2 A, 6 V MIC94052, 6-Pin SC-70 Microchip Technology
  • руб 93 410,89
  • 1 катушка из 3000
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology P 2 A 6 В 180 мΩ 1.2V 0.5V -6 V SC-70 Поверхностный монтаж 6 Одинарный - - 270 мВт - - 2.2 x 1.35 x 1мм 60 ns MIC94052 15 нс - 1.35мм 1мм 2.2мм - +150 °C 2 -40 °C - -
DN2470K4-G Dual N-Channel MOSFET, 170 mA, 700 V Depletion DN2470, 4-Pin DPAK Microchip Technology
  • руб 95 485,74
  • 1 катушка из 2000
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology N 170 мА 700 В 42 Ω - - 20 V TO-252 Поверхностный монтаж 4 Одинарный Опускание - 2,5 Вт 540 (Maximum) pF @ 25 V - 0.26 x 0.24 x 0.09дюйм 45 ns DN2470 30 нс - 6.1мм 2.29мм 6.6мм 1.8V +150 °C 2 -55 °C - -
TN2540N8-G N-Channel MOSFET, 260 mA, 400 (Minimum) V TN2540, 3-Pin TO-243AA Microchip Technology
  • руб 144,43
  • За шт. (В катушке - 2000)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology N 260 мА 400 В (минимум) 12 Ω 2V 0.6V 20 V TO-243AA Поверхностный монтаж 3 Одинарный Поднятие Драйвер МОП-транзистора 1,6 Вт 95 пФ при 25 В - 4.6 x 2.6 x 1.6мм 25 нс (максимум) TN2540 20 нс (максимум) - 2.6мм 1.6мм 4.6мм 1.8V +150 °C 1 -55 °C - -
TP2540N8-G P-Channel MOSFET, 125 mA, 400 (Minimum) V TP2540, 3-Pin TO-243AA Microchip Technology
  • руб 168,84
  • За шт. (В катушке - 2000)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology P 125 mA 400 В (минимум) 30 Ω 2.4V 1V 20 V TO-243AA Поверхностный монтаж 3 Одинарный Поднятие Драйвер МОП-транзистора 1,6 Вт 60 pF @ -25 V - 4.6 x 2.6 x 1.6мм 20 нс (максимум) TP2540 10 нс (максимум) - 2.6мм 1.6мм 4.6мм 1.8V +150 °C 1 -55 °C - -
VN2460N8-G N-Channel MOSFET, 200 mA, 600 (Minimum) V VN2460, 3-Pin TO-243AA Microchip Technology
  • руб 132,14
  • За шт. (В катушке - 2000)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology N 200 мА 600 В (минимум) 25 Ω 4V 1.5V 20 V TO-243AA Поверхностный монтаж 3 Одинарный Поднятие Драйвер МОП-транзистора 1,6 Вт 150 пФ (максимум) при 25 В - 4.6 x 2.6 x 1.6мм 25 нс (максимум) VN2460 10 нс (максимум) - 2.6мм 1.6мм 4.6мм 1.5V +150 °C 1 -55 °C - -
VP2450N8-G P-Channel MOSFET, 160 mA, 500 (Minimum) V VP2450, 3-Pin SOT-89 Microchip Technology
  • руб 184,98
  • За шт. (В катушке - 2000)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology P 160 мА 500 В (минимум) 35 Ω 3.5V 1.5V 20 V SOT-89 Поверхностный монтаж 3 Одинарный Поднятие Драйвер МОП-транзистора 1,6 Вт 190 пФ (максимум) при -25 В - 4.6 x 2.6 x 1.6мм 45 нс (максимум) VP2450 10 нс (максимум) - 2.6мм 1.6мм 4.6мм 1.8V +150 °C 1 -55 °C - -
2N7000-G N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 (Minimum) V 2N7000, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • руб 48,14
  • За шт. (В сумке - 1000)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology N 200 мА 60 В (минимум) 5.3 Ω 3V -0.8V 30 V TO-92 Монтаж на плату в отверстия 3 Одинарный Поднятие Драйвер МОП-транзистора 1 Вт 60 пФ (максимум) при 25 В - 0.2 x 0.16 x 0.21дюйм 10 нс (максимум) 2N7000 10 нс (максимум) - 4.06мм 5.33мм 5.08мм 0.85V +150 °C 1 -55 °C - -
FCU360N65S3R0 N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V, 3-Pin IPAK ON Semiconductor ON Semiconductor N 10 A 650 В 360 mΩ 4.5V 2.5V ±30 В IPAK Монтаж на плату в отверстия 3 Одинарный Поднятие Мощный МОП-транзистор 83 Вт 730 pF @ 400 V 18 nC @ 10 V 6.8 x 2.5 x 6.3мм 34 нс - 12 нс 2.5мм 6.3мм 6.8мм 1.2V +150 °C 1 -55 °C - -
DN2625K4-G Dual N-Channel MOSFET, 1.1 A, 250 V Depletion DN2625, 4-Pin DPAK Microchip Technology
  • руб 145 305,59
  • 1 катушка из 2000
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology N 1,1 A 250 В 3.5 Ω - - 20 V TO-252 Поверхностный монтаж 4 Одинарный Опускание - - 800 пФ при 25 В 7,04 при 1,5 В 0.26 x 0.24 x 0.09дюйм 10 нс DN2625 10 нс - 6.1мм 2.29мм 6.6мм 1.8V +150 °C 2 -55 °C - -
VN10KN3-G N-Channel MOSFET, 310 mA, 60 (Minimum) V VN10K, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • руб 59,50
  • За шт. (В сумке - 1000)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology N 310 мА 60 В (минимум) 7.5 Ω 2.5V -0.8V 30 V TO-92 Монтаж на плату в отверстия 3 Одинарный Поднятие Драйвер МОП-транзистора 1 Вт 48 пФ при 25 В - 0.2 x 0.16 x 0.21дюйм 10 нс (максимум) VN10K 10 нс (максимум) - 4.06мм 5.33мм 5.08мм -0.8V +150 °C 1 -55 °C - -
TN0106N3-G N-Channel MOSFET, 350 mA, 60 (Minimum) V TN0106, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • руб 98,51
  • За шт. (В сумке - 1000)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology N 350 mA 60 В (минимум) 4,5 Ω 2V 0.6V 20 V TO-92 Монтаж на плату в отверстия 3 Одинарный Поднятие Драйвер МОП-транзистора 1 Вт 50 pF @ 25 V - 0.2 x 0.16 x 0.21дюйм 6 нс TN0106 2 нс - 4.06мм 5.33мм 5.08мм 1.5V +150 °C 1 -55 °C - -
VN2106N3-G N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 (Minimum) V VN2106, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • руб 48,14
  • За шт. (В сумке - 1000)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology N 300 мА 60 В (минимум) 6 Ω 2.4V -0.8V 20 V TO-92 Монтаж на плату в отверстия 3 Одинарный Поднятие Драйвер МОП-транзистора 1 Вт 35 pF @ 25 V - 0.2 x 0.16 x 0.21дюйм 6 нс VN2106 3 нс - 4.06мм 5.33мм 5.08мм 1.8V +150 °C 1 -55 °C - -
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -60V
  • руб 107,64
  • За шт. (В сумке - 1000)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
TN0110N3-G N-Channel MOSFET, 350 mA, 100 (Minimum) V TN0110, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • руб 101,75
  • За шт. (В сумке - 1000)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology N 350 mA 100 В (минимум) 4,5 Ω 2V 0.6V 20 V TO-92 Монтаж на плату в отверстия 3 Одинарный Поднятие Драйвер МОП-транзистора 1 Вт 50 pF @ 25 V - 0.2 x 0.16 x 0.21дюйм 6 нс TN0110 2 нс - 4.06мм 5.33мм 5.08мм 1.5V +150 °C 1 -55 °C - -
TN2106N3-G N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 (Minimum) V TN2106, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • руб 66,41
  • За шт. (В сумке - 1000)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology N 300 мА 60 В (минимум) 5 Ω 2V 0.6V 20 V TO-92 Монтаж на плату в отверстия 3 Одинарный Поднятие Драйвер МОП-транзистора 740 мВт 35 pF @ 25 V - 0.2 x 0.16 x 0.21дюйм 6 нс TN2106 3 нс - 4.06мм 5.33мм 5.08мм 1.8V +150 °C 1 -55 °C - -
VN0104N3-G N-Channel MOSFET, 350 mA, 40 (Minimum) V VN0104, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • руб 75,54
  • За шт. (В сумке - 1000)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology N 350 mA 40 В (минимум) 5 Ω 2.4V -0.8V 20 V TO-92 Монтаж на плату в отверстия 3 Одинарный Поднятие Драйвер МОП-транзистора 1 Вт 55 pF @ 25 V - 0.2 x 0.16 x 0.21дюйм 6 нс VN0104 3 нс - 4.06мм 5.33мм 5.08мм 1.8V +150 °C 1 -55 °C - -
VN0300L-G N-Channel MOSFET, 640 mA, 30 (Minimum) V VN0300, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • руб 124,03
  • За шт. (В сумке - 1000)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology N 640 мА 30 В (минимум) 3.3 Ω 2.5V -0.8V 30 V TO-92 Монтаж на плату в отверстия 3 Одинарный Поднятие Драйвер МОП-транзистора 1 Вт 190 пФ (максимум) при 20 В - 0.2 x 0.16 x 0.21дюйм 30 нс (максимум) VN0300 30 нс (максимум) - 4.06мм 5.33мм 5.08мм 0.9V +150 °C 1 -55 °C - -
2N6661 N-Channel MOSFET, 350 mA, 90 (Minimum) V 2N6661, 3-Pin TO-39 Microchip Technology
  • руб 1 160,64
  • За шт. (В сумке - 500)
  • Проверить наличие
  • Сравнить
Microchip Technology N 350 mA 90 В (минимум) 5 Ω 2V -0.8V 20 V TO-39 Монтаж на плату в отверстия 3 Одинарный Поднятие Драйвер МОП-транзистора 6,25 Вт 50 пФ (максимум) при 24 В - 0.37 (Dia.) x 0.26дюйм 10 нс (максимум) 2N6661 10 нс (максимум) - 9.398 Dia.мм 6.6мм - 1.2V +150 °C 1 -55 °C - -
Проверьте наличие товара на складе
Укажите нужное вам количество и нажмите "Проверить".
Информация о наличии обновляется на сайте в режиме реального времени.
RS-номер:
Нужное количество 
Сравнить полный список
Одновременно вы можете сравнивать только 8 товаров

Вернуться к странице для сравнения
Вы просматриваете 1 - 20 из 961 результатов